SEMiXTM-IGBT 模塊開發(fā)的新平臺
企業(yè)信息

普通會員第20年
公司類型: 生產(chǎn)商
主運(yùn)營:二極管、可控硅模塊、快速二極管及模塊、IGBT模塊...
所在地區(qū):青島市
注冊時間:2006-04-27
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                                SEMiXTM-IGBT 模塊開發(fā)的新平臺
 
  結(jié)構(gòu)緊湊、接口簡單的 IGBT 模塊是電子設(shè)計工程師在設(shè)計高性價比的拖動裝置和電力電子組件時所熱切期待的。賽米控(SEMIKRON)在其 新推出的 SEMiXTM 系列中,采用了一個既靈活又可以擴(kuò)展的 IGBT 模塊的新平臺,充分詮釋了客戶的這些需求:寬廣的功率范圍、可選的多種接口、低成本的散熱和簡潔的機(jī)械設(shè)計。 
  寬廣的功率范圍
  SEMiXTM系列的主要優(yōu)勢在于其寬廣的功率范圍。SEMiXTM可以提供三種安裝尺寸: SEMiXTM2、SEMiXTM3 和 SEMiXTM4。 每個模塊內(nèi)部分別包括了 2 個、3 個或 4 個并聯(lián)的半橋。在此基礎(chǔ)上,該系列所有的模塊都具有相同的寬度與不同的長度。因此,在寬廣的功率范圍內(nèi),單一的機(jī)械結(jié)構(gòu)可以接納不同長度的模塊。 
  SEMiXTM外殼的特點
  由于市場越來越傾向于結(jié)構(gòu)緊湊的功率電子系統(tǒng), IGBT 模塊的外形尺寸也越來越小。因此, SEMiXTM主回路端子的高度設(shè)計為 17mm。 兩個 AC 和 DC 端子分別位于模塊的上下兩側(cè),使變頻器主回路的連接更為方便。 
  主回路端子的設(shè)計排列允許將驅(qū)動器置于模塊的頂端。SEMiXTM的壓蓋還提供了一個附加的功能:由 PCB 板構(gòu)成的壓蓋帶有一個夾層,該夾層可以連接到模塊的底板上,用以增強(qiáng) 對 EMI 的屏蔽作用。 另外,內(nèi)置的柵極-發(fā)射極電阻可以保護(hù)柵極不被"懸空"。 
 圖1:基礎(chǔ)模塊 SEMiXTM3
每個 SEMiXTM 模塊包括一個具有 NTC  特性(型號為 KG3B-35-5)的集成溫度傳感器,用來監(jiān)測模塊的溫度。 SEMiXTM還為頂部的 IGBT 留置了一個集電極傳感端子。
 SEMiX 的功率端子是直接焊接到 DCB 基片上的,從而最大限度地優(yōu)化了功率端子的散熱,并極大地降低了連線損耗,充分地發(fā)揮了溝槽式 IGBT 的優(yōu)勢。 
  SEMiXTM的功率等級和芯片技術(shù)
 SEMiXTM包括 600V、1200V 和 1700V三個電壓等級。在所有三個電壓等級中,IGBT 溝槽式技術(shù)與高電流密度的 CAL-HD  二極管相結(jié)合。而在 1200V 的電壓等級中,還采用了軟穿透式(SPT) IGBT 和 CAL 二極管的組合,特別用于開關(guān)頻率較高時。
圖1:基礎(chǔ)模塊 SEMiXTM3
每個 SEMiXTM 模塊包括一個具有 NTC  特性(型號為 KG3B-35-5)的集成溫度傳感器,用來監(jiān)測模塊的溫度。 SEMiXTM還為頂部的 IGBT 留置了一個集電極傳感端子。
 SEMiX 的功率端子是直接焊接到 DCB 基片上的,從而最大限度地優(yōu)化了功率端子的散熱,并極大地降低了連線損耗,充分地發(fā)揮了溝槽式 IGBT 的優(yōu)勢。 
  SEMiXTM的功率等級和芯片技術(shù)
 SEMiXTM包括 600V、1200V 和 1700V三個電壓等級。在所有三個電壓等級中,IGBT 溝槽式技術(shù)與高電流密度的 CAL-HD  二極管相結(jié)合。而在 1200V 的電壓等級中,還采用了軟穿透式(SPT) IGBT 和 CAL 二極管的組合,特別用于開關(guān)頻率較高時。 
 圖2: 六單元與展開的三個半橋的熱仿真 
  圖 2 給出了適用于各等級典型電機(jī)的 1200V SEMiXTM溝槽式 IGBT 模塊的一覽表,其中假定電機(jī)的過載系數(shù)為 150% 以及變頻器的效率為 90%。
高效率的散熱: 六單元與半橋封裝
  在功率電子線路中最常用的電路是三相逆變橋。SEMIKRON為這類電路結(jié)構(gòu)提供了六單元封裝和三個半橋封裝。 
  高端或低端的制動斬波器具有和半橋相同的封裝形式,從而簡化了變頻器的機(jī)械結(jié)構(gòu)。
  可選擇采用集成的六單元或分立的三個半橋來構(gòu)成一個三相逆變器,是 SEMiX 平臺理念獨一無二的特點。
圖2: 六單元與展開的三個半橋的熱仿真 
  圖 2 給出了適用于各等級典型電機(jī)的 1200V SEMiXTM溝槽式 IGBT 模塊的一覽表,其中假定電機(jī)的過載系數(shù)為 150% 以及變頻器的效率為 90%。
高效率的散熱: 六單元與半橋封裝
  在功率電子線路中最常用的電路是三相逆變橋。SEMIKRON為這類電路結(jié)構(gòu)提供了六單元封裝和三個半橋封裝。 
  高端或低端的制動斬波器具有和半橋相同的封裝形式,從而簡化了變頻器的機(jī)械結(jié)構(gòu)。
  可選擇采用集成的六單元或分立的三個半橋來構(gòu)成一個三相逆變器,是 SEMiX 平臺理念獨一無二的特點。 
 圖3:SEMiXTM模塊 1200V 溝槽式 IGBT 適用的電機(jī)功率等級
   圖 3 顯示了安裝在散熱器上的兩種功率模塊解決方案的熱仿真。計算條件是: 300mm 寬 WEBRA P16 型散熱片、環(huán)境溫度 40℃、強(qiáng)制風(fēng)冷81.5 l/s、最大結(jié)溫 125℃。
  當(dāng)半橋 IGBT 模塊的相互間隔為 42mm  時,與六單元模塊相比較,其對環(huán)境的熱阻降低約 20%。這一熱阻降低的現(xiàn)象可以被用來提高輸出電流(因為焊接的主回路端子不再成為限制電流的因素),或者被用來減小散熱成本(散熱器、風(fēng)扇),或者利用結(jié)溫降低了 10℃的事實,使功率循環(huán)的次數(shù)加倍。
  驅(qū)動器接口的選項
  目前市場上的 IGBT 模塊為驅(qū)動器提供了標(biāo)準(zhǔn)的可焊接或即插式接口。 接口的端子定義主要由模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來決定,并不一定與變頻器設(shè)計所需的最佳排列相吻合。在 SEMiX 平臺中,賽米控將提供靈活的輸出接口,用以解決模塊設(shè)計和變頻器設(shè)計相互間的沖突。
  該接口共有三個選項:
  1. 焊接 / 即插式接口  
  2. 為客戶定做的卡接式接口
  3. 優(yōu)化過的賽米控IGBT 驅(qū)動器
  結(jié)論:
  SEMiXTM是賽米控推出的性價比好、可擴(kuò)展、靈活的IGBT 模塊新技術(shù),它極具成為市場的又一典范產(chǎn)品的潛力。 SEMiX 系列集成了當(dāng)今 IGBT 和續(xù)流二極管最前沿的芯片技術(shù)。
  模塊的機(jī)械外型使變頻器在寬廣的電流和電壓范圍內(nèi)(190 A~1000 A ;600V, 1200V, 1700V)設(shè)計更緊湊、性價比更優(yōu)良。 
  SEMiXTM模塊提供多種驅(qū)動器接口,并集成了如下基本功能如:溫度傳感器、EMI 屏蔽、ESD 保護(hù)等。
圖3:SEMiXTM模塊 1200V 溝槽式 IGBT 適用的電機(jī)功率等級
   圖 3 顯示了安裝在散熱器上的兩種功率模塊解決方案的熱仿真。計算條件是: 300mm 寬 WEBRA P16 型散熱片、環(huán)境溫度 40℃、強(qiáng)制風(fēng)冷81.5 l/s、最大結(jié)溫 125℃。
  當(dāng)半橋 IGBT 模塊的相互間隔為 42mm  時,與六單元模塊相比較,其對環(huán)境的熱阻降低約 20%。這一熱阻降低的現(xiàn)象可以被用來提高輸出電流(因為焊接的主回路端子不再成為限制電流的因素),或者被用來減小散熱成本(散熱器、風(fēng)扇),或者利用結(jié)溫降低了 10℃的事實,使功率循環(huán)的次數(shù)加倍。
  驅(qū)動器接口的選項
  目前市場上的 IGBT 模塊為驅(qū)動器提供了標(biāo)準(zhǔn)的可焊接或即插式接口。 接口的端子定義主要由模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來決定,并不一定與變頻器設(shè)計所需的最佳排列相吻合。在 SEMiX 平臺中,賽米控將提供靈活的輸出接口,用以解決模塊設(shè)計和變頻器設(shè)計相互間的沖突。
  該接口共有三個選項:
  1. 焊接 / 即插式接口  
  2. 為客戶定做的卡接式接口
  3. 優(yōu)化過的賽米控IGBT 驅(qū)動器
  結(jié)論:
  SEMiXTM是賽米控推出的性價比好、可擴(kuò)展、靈活的IGBT 模塊新技術(shù),它極具成為市場的又一典范產(chǎn)品的潛力。 SEMiX 系列集成了當(dāng)今 IGBT 和續(xù)流二極管最前沿的芯片技術(shù)。
  模塊的機(jī)械外型使變頻器在寬廣的電流和電壓范圍內(nèi)(190 A~1000 A ;600V, 1200V, 1700V)設(shè)計更緊湊、性價比更優(yōu)良。 
  SEMiXTM模塊提供多種驅(qū)動器接口,并集成了如下基本功能如:溫度傳感器、EMI 屏蔽、ESD 保護(hù)等。  
 
                            
                         圖1:基礎(chǔ)模塊 SEMiXTM3
每個 SEMiXTM 模塊包括一個具有 NTC  特性(型號為 KG3B-35-5)的集成溫度傳感器,用來監(jiān)測模塊的溫度。 SEMiXTM還為頂部的 IGBT 留置了一個集電極傳感端子。
 SEMiX 的功率端子是直接焊接到 DCB 基片上的,從而最大限度地優(yōu)化了功率端子的散熱,并極大地降低了連線損耗,充分地發(fā)揮了溝槽式 IGBT 的優(yōu)勢。 
  SEMiXTM的功率等級和芯片技術(shù)
 SEMiXTM包括 600V、1200V 和 1700V三個電壓等級。在所有三個電壓等級中,IGBT 溝槽式技術(shù)與高電流密度的 CAL-HD  二極管相結(jié)合。而在 1200V 的電壓等級中,還采用了軟穿透式(SPT) IGBT 和 CAL 二極管的組合,特別用于開關(guān)頻率較高時。
圖1:基礎(chǔ)模塊 SEMiXTM3
每個 SEMiXTM 模塊包括一個具有 NTC  特性(型號為 KG3B-35-5)的集成溫度傳感器,用來監(jiān)測模塊的溫度。 SEMiXTM還為頂部的 IGBT 留置了一個集電極傳感端子。
 SEMiX 的功率端子是直接焊接到 DCB 基片上的,從而最大限度地優(yōu)化了功率端子的散熱,并極大地降低了連線損耗,充分地發(fā)揮了溝槽式 IGBT 的優(yōu)勢。 
  SEMiXTM的功率等級和芯片技術(shù)
 SEMiXTM包括 600V、1200V 和 1700V三個電壓等級。在所有三個電壓等級中,IGBT 溝槽式技術(shù)與高電流密度的 CAL-HD  二極管相結(jié)合。而在 1200V 的電壓等級中,還采用了軟穿透式(SPT) IGBT 和 CAL 二極管的組合,特別用于開關(guān)頻率較高時。 
 圖2: 六單元與展開的三個半橋的熱仿真 
  圖 2 給出了適用于各等級典型電機(jī)的 1200V SEMiXTM溝槽式 IGBT 模塊的一覽表,其中假定電機(jī)的過載系數(shù)為 150% 以及變頻器的效率為 90%。
高效率的散熱: 六單元與半橋封裝
  在功率電子線路中最常用的電路是三相逆變橋。SEMIKRON為這類電路結(jié)構(gòu)提供了六單元封裝和三個半橋封裝。 
  高端或低端的制動斬波器具有和半橋相同的封裝形式,從而簡化了變頻器的機(jī)械結(jié)構(gòu)。
  可選擇采用集成的六單元或分立的三個半橋來構(gòu)成一個三相逆變器,是 SEMiX 平臺理念獨一無二的特點。
圖2: 六單元與展開的三個半橋的熱仿真 
  圖 2 給出了適用于各等級典型電機(jī)的 1200V SEMiXTM溝槽式 IGBT 模塊的一覽表,其中假定電機(jī)的過載系數(shù)為 150% 以及變頻器的效率為 90%。
高效率的散熱: 六單元與半橋封裝
  在功率電子線路中最常用的電路是三相逆變橋。SEMIKRON為這類電路結(jié)構(gòu)提供了六單元封裝和三個半橋封裝。 
  高端或低端的制動斬波器具有和半橋相同的封裝形式,從而簡化了變頻器的機(jī)械結(jié)構(gòu)。
  可選擇采用集成的六單元或分立的三個半橋來構(gòu)成一個三相逆變器,是 SEMiX 平臺理念獨一無二的特點。 
 圖3:SEMiXTM模塊 1200V 溝槽式 IGBT 適用的電機(jī)功率等級
   圖 3 顯示了安裝在散熱器上的兩種功率模塊解決方案的熱仿真。計算條件是: 300mm 寬 WEBRA P16 型散熱片、環(huán)境溫度 40℃、強(qiáng)制風(fēng)冷81.5 l/s、最大結(jié)溫 125℃。
  當(dāng)半橋 IGBT 模塊的相互間隔為 42mm  時,與六單元模塊相比較,其對環(huán)境的熱阻降低約 20%。這一熱阻降低的現(xiàn)象可以被用來提高輸出電流(因為焊接的主回路端子不再成為限制電流的因素),或者被用來減小散熱成本(散熱器、風(fēng)扇),或者利用結(jié)溫降低了 10℃的事實,使功率循環(huán)的次數(shù)加倍。
  驅(qū)動器接口的選項
  目前市場上的 IGBT 模塊為驅(qū)動器提供了標(biāo)準(zhǔn)的可焊接或即插式接口。 接口的端子定義主要由模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來決定,并不一定與變頻器設(shè)計所需的最佳排列相吻合。在 SEMiX 平臺中,賽米控將提供靈活的輸出接口,用以解決模塊設(shè)計和變頻器設(shè)計相互間的沖突。
  該接口共有三個選項:
  1. 焊接 / 即插式接口  
  2. 為客戶定做的卡接式接口
  3. 優(yōu)化過的賽米控IGBT 驅(qū)動器
  結(jié)論:
  SEMiXTM是賽米控推出的性價比好、可擴(kuò)展、靈活的IGBT 模塊新技術(shù),它極具成為市場的又一典范產(chǎn)品的潛力。 SEMiX 系列集成了當(dāng)今 IGBT 和續(xù)流二極管最前沿的芯片技術(shù)。
  模塊的機(jī)械外型使變頻器在寬廣的電流和電壓范圍內(nèi)(190 A~1000 A ;600V, 1200V, 1700V)設(shè)計更緊湊、性價比更優(yōu)良。 
  SEMiXTM模塊提供多種驅(qū)動器接口,并集成了如下基本功能如:溫度傳感器、EMI 屏蔽、ESD 保護(hù)等。
圖3:SEMiXTM模塊 1200V 溝槽式 IGBT 適用的電機(jī)功率等級
   圖 3 顯示了安裝在散熱器上的兩種功率模塊解決方案的熱仿真。計算條件是: 300mm 寬 WEBRA P16 型散熱片、環(huán)境溫度 40℃、強(qiáng)制風(fēng)冷81.5 l/s、最大結(jié)溫 125℃。
  當(dāng)半橋 IGBT 模塊的相互間隔為 42mm  時,與六單元模塊相比較,其對環(huán)境的熱阻降低約 20%。這一熱阻降低的現(xiàn)象可以被用來提高輸出電流(因為焊接的主回路端子不再成為限制電流的因素),或者被用來減小散熱成本(散熱器、風(fēng)扇),或者利用結(jié)溫降低了 10℃的事實,使功率循環(huán)的次數(shù)加倍。
  驅(qū)動器接口的選項
  目前市場上的 IGBT 模塊為驅(qū)動器提供了標(biāo)準(zhǔn)的可焊接或即插式接口。 接口的端子定義主要由模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來決定,并不一定與變頻器設(shè)計所需的最佳排列相吻合。在 SEMiX 平臺中,賽米控將提供靈活的輸出接口,用以解決模塊設(shè)計和變頻器設(shè)計相互間的沖突。
  該接口共有三個選項:
  1. 焊接 / 即插式接口  
  2. 為客戶定做的卡接式接口
  3. 優(yōu)化過的賽米控IGBT 驅(qū)動器
  結(jié)論:
  SEMiXTM是賽米控推出的性價比好、可擴(kuò)展、靈活的IGBT 模塊新技術(shù),它極具成為市場的又一典范產(chǎn)品的潛力。 SEMiX 系列集成了當(dāng)今 IGBT 和續(xù)流二極管最前沿的芯片技術(shù)。
  模塊的機(jī)械外型使變頻器在寬廣的電流和電壓范圍內(nèi)(190 A~1000 A ;600V, 1200V, 1700V)設(shè)計更緊湊、性價比更優(yōu)良。 
  SEMiXTM模塊提供多種驅(qū)動器接口,并集成了如下基本功能如:溫度傳感器、EMI 屏蔽、ESD 保護(hù)等。  
 
                             
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