

天明 吸收突波高頻電容器
產(chǎn)品型號
廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商 代理商
公司名稱深圳市天明偉業(yè)電子有限公司
地 址深圳市寶安區(qū)龍華鎮(zhèn)宇豐城工業(yè)區(qū)
企業(yè)信息
普通會員第19年
公司類型: 生產(chǎn)商 代理商
主運營:高頻高壓薄膜電容器、CDE/ALCON/EACO無感吸收電容器
所在地區(qū):深圳市
注冊時間:2007-12-03
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[b]吸收突波高頻電容器
產(chǎn)品介紹[/b]
應用: IGBT 模塊突波吸收,高頻、大電流、高脈沖線路
材料特性
電容結構: 雙層金屬化膜,內(nèi)部串聯(lián)結構
封裝: 阻燃塑膠外殼,環(huán)氧樹脂封裝,符合(UL94V-0 )標準.
尺寸: 參考下頁資料,能適合任何品牌的IGBT 模塊
尺寸。(可按客戶需求定制特殊規(guī)格)
電氣特性
電容量: 0.047μF to 5.6μF, 參考表格數(shù)據(jù)
額定電壓: 700,850,1000,1200,1500,2000,2500 ,3000VDC
損耗角正切: 測試條件 1000±20 Hz , 25±5℃.Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4
絕緣電阻: 3000s,s= MΩ. μF
測試條件 1 minute,100Vdc (25±5℃)
耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s,t 25±5℃,1Min
工作溫度: -40~+85℃
最大許可環(huán)境溫度: +70℃ (額定功率、電流,自然散熱條件下工作)電容量對時間的變化 : -3% ,30,000 小時(有效電壓工作狀態(tài)),或100,000 hours (額定電壓工作狀態(tài))

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