賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 12 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE 股市代號: VSH）日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET ——- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內最低的導通電阻。 現(xiàn)有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V 時）及 5.5 mΩ （在4.5 V 時）的超低導通電阻。這些值比最接近的同類 30-V 器件低 27%（在 10 V 時）和 28% （在4.5 V 時），比最接近的同類 25-V SO-8 器件分別低 28% 和 15%。30-V Si7135DP 的導通電阻為 3.9 mΩ（在 10 V 時） 和 6.2 mΩ（在4.5 V 時），比最接近的同類器件分別低 13% （在 10 V 時）和 19.5% （在4.5 V 時）。 這次推出的兩款 MOSFET均采用 PowerPAK® SO-8 封裝，可容許比其它 SO-8 封裝器件高 60% 的最大漏電流和高 75 % 的最大功率損耗。 這兩款新型器件可用作適配器切換開關，用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負載切換應用。適配器切換開關（在適配器/墻壁電源和電池電源間切換）一直處于導通狀態(tài)，消耗電流。Si7633DP 和Si7135DP的低導通電阻能耗低，節(jié)省電力并延長兩次充電間的電池可用時間。 Vishay 還推出了采用 SO-8 封裝的 Si4459ADY 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET。該器件具有 5 mΩ（在 10 V 時）和 7.75 mΩ（在4.5 V 時）的導通電阻。此次推出的所有器件 100% 通過 Rg 和 UIS 認證，且不含鹵素。 目前，該新型Si7633DP和Si7135DP TrenchFET 功率 MOSFET可提供樣品，并已實現(xiàn)量產，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。 VISHAY SILICONIX簡介 Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業(yè)內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET（LITTLE FOOT®）。 創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能（PowerPAK®） 和更小空間（ChipFET®，MICRO FOOT®）新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。 Siliconix創(chuàng)建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。 VISHAY簡介 Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。