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Z-半導(dǎo)體敏感元件原理與應(yīng)用

時間:2007-07-04 13:44:00來源:lijuan

導(dǎo)語:?本文重點(diǎn)介紹光敏Z-元件、磁敏Z-元件的特性、典型應(yīng)用電路、設(shè)計方法和應(yīng)用示例
摘要:本文重點(diǎn)介紹光敏Z-元件、磁敏Z-元件的特性、典型應(yīng)用電路、設(shè)計方法和應(yīng)用示例,供廣大用戶利用光、磁敏Z-元件進(jìn)行應(yīng)用開發(fā)時參考。 關(guān)健詞:Z-元件、光敏Z-元件、磁敏Z-元件、傳感器 一、 前言 光敏Z-元件是Z-半導(dǎo)體敏感元件產(chǎn)品系列中重要品種之一。它具有與溫敏Z-元件相似的伏安特性,該元件也具有應(yīng)用電路極其簡單、體積小、輸出幅值大、靈敏度高、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)等特點(diǎn)。能提供模擬、開關(guān)和脈沖頻率三種輸出信號供用戶選擇。用它開發(fā)出的三端數(shù)字傳感器,不需要前置放大器、A/D或V/F變換器,就能與計算機(jī)直接通訊。該元件的技術(shù)參數(shù)符合QJ/HN002-1998的有關(guān)規(guī)定。 磁敏Z-元件是Z-半導(dǎo)體敏感元件產(chǎn)品系列中第三個重要品種。它具有與溫敏Z-元件相似的伏安特性,該元件體積小,應(yīng)用電路極其簡單,在磁場的作用下,能輸出模擬信號、開關(guān)信號和脈沖頻率信號,而且輸出信號的幅值大、靈敏度高、抗干擾能力強(qiáng)。 光敏、磁敏Z-元件及其三端數(shù)字傳感器,通過光、磁的作用,可實(shí)現(xiàn)對物理參數(shù)的測量、控制與報警。 二、 光敏Z-元件及其技術(shù)參數(shù) 1. 光敏Z-元件的結(jié)構(gòu)、電路符號及命名方法 光敏Z-元件是一種經(jīng)過重?fù)诫s而形成的特種PN結(jié),是一種正、反向伏安特性不對稱的兩端有源元件。
元件引腳有標(biāo)記的或尺寸較長的為“+”極。 2. 光敏Z-元件的伏安特性曲線 (d)為光敏Z-元件的的伏安特性曲線。在第一象限,OP段M1區(qū)為高阻區(qū)(幾十千歐~幾百千歐)。pf段M2區(qū)為負(fù)阻區(qū),fm段M3區(qū)為低阻區(qū)(幾十千歐~幾百千歐)。其中Vth叫閾值電壓,表示在T(℃)時Z-元件兩端電壓的最大值。Ith叫閾值電流,是Z-元件與Vth對應(yīng)的電流。Vf叫導(dǎo)通電壓,是M3區(qū)電壓的最小值。If叫導(dǎo)通電流,是對應(yīng)Vf的電流,也是M3區(qū)電流的最小值。在第三象限為反向特性,反向電流IR是在無光照時反向電壓VR為25V時測量的,其值(微安級)很小。 3. 光敏Z-元件的分檔代號與技術(shù)參數(shù) 光敏Z-元件的分檔代號與技術(shù)參數(shù)見表1。其分檔代號按Vth值的大小排列。型號分二種,按其響應(yīng)波長分。目前產(chǎn)品波長代號皆為1。 三、 光敏Z-元件的光敏特性 1. 無光照時光敏Z-元件正、反向伏安特性的測量 用遮光罩把光敏Z-元件罩上,即在無光照的情況下,測量電路測量其正、反向伏安特性,測量電路與方法與溫敏Z-元件相同。 2. 光敏Z-元件正向光敏特性 把Z-元件接在正向特性測量電路上,Z-元件放置在可變照度的光場中。測量時照度由小到大,每次遞增100lx,用數(shù)字照度計校準(zhǔn),然后測量Z-元件的正向特性,記錄不同照度時的Vth、Ith、Vf 。光敏Z-元件的閾值點(diǎn)P(Vth,Ith)隨著照度的增加,一直向左偏上方向移動, 光敏Z-元件的正向特性還具有光生伏特現(xiàn)象,Z-元件的“正”極即光生伏特的“+”極。目前,光生伏特飽和電動勢為200mV左右,短路電流隨光照增強(qiáng)而增大。當(dāng)照度為100lx~5000 lx時短路電流為幾微安至幾十微安。 3. 光敏Z-元件反向光敏特性 把Z-元件連接在反向特性測量電路中,并把Z-元件置于可變光場中。改變光場照度,用數(shù)字照度計校準(zhǔn),測量其反向特性,即反向電壓VR與反向電流IR的關(guān)系??梢钥闯銎浞聪螂娮桦S照度增加而減小,反向電流隨光照增強(qiáng)而變大。 四、 光敏Z-元件的應(yīng)用電路 光敏Z-元件有與溫敏Z-元件相似的正、反向伏安特性,溫敏Z-元件的應(yīng)用電路,在理論上都適用于光敏Z-元件??紤]到光敏Z-元件的Vth、Ith、IR有一定的溫漂,因此在光開關(guān)電路中,應(yīng)當(dāng)有抗溫度干擾的余量,在模擬應(yīng)用電路中,應(yīng)采用具有抗溫漂自動補(bǔ)償電路。 1. M1→M3轉(zhuǎn)換,輸出負(fù)階躍開關(guān)信號電路 在無光照時,OP1為光敏Z-元件M1區(qū)特性,閾值點(diǎn)為P1(Vth1,Ith1),E為電源電壓,以負(fù)載電阻值RL和電源電壓E確定的直線(E,E/RL)交電壓軸為E,交電流軸為E/RL。Q1為無光照時的工作點(diǎn)其坐標(biāo)為Q1(VZ1,IZ1),輸出電壓VO1=VZ1=E-IZ1RL 。我們選擇合適的電路參數(shù),使在照度為E2時,閾值點(diǎn)P1移至P2,并剛好在直線(E,E/RL)上,這時Q2與P2重合。光敏Z-元件開始進(jìn)入了負(fù)阻M2區(qū),Q2點(diǎn)在幾微秒之內(nèi)即達(dá)到了f點(diǎn),其坐標(biāo)為f(Vf,If)。此時輸出電壓為VO2=VOL=Vf,輸出端輸出一個負(fù)階躍開關(guān)信號。為了得到一個負(fù)階躍開關(guān)信號,在照度為L2時,工作點(diǎn)Q2與閾值點(diǎn)Vth2重合,電路中各參數(shù)必須滿足的條件可用下述狀態(tài)方程描述: E=Vth2+I(xiàn)th2RL (1) 其中,負(fù)載電阻值RL一般為1~2kW,選擇原則是,當(dāng)在照度L2時,Z-元件工作在M3區(qū),工作點(diǎn)Q2的電壓為VZ2=Vf,電流為IZ2=If,電壓與電流之積為VfIf=P,并且P≤PM≤50mW。即在功耗不大于50mW的情況下,選擇較小的RL,這個開關(guān)信號的振幅為DVO: DVO=Vth2-Vf (2) 公式(1)告訴我們?yōu)榱艘玫截?fù)階躍開關(guān)信號,E、Vth2、Ith2三者之間的關(guān)系。這時還要考慮以下幾個問題: (1)照度L越大,Vth越小,Ith越大,IthRL也越大,DVO將下降,以至?xí)l(fā)生因振幅過小滿足不了要求的情況;另一方面,過大的照度也是不經(jīng)濟(jì)的。也就是說,照度選擇要適當(dāng)。 (2)在應(yīng)用的范圍內(nèi),在無光照不輸出負(fù)階躍開關(guān)信號的情況下,工作點(diǎn)Q1選擇應(yīng)盡量偏右,這樣有利于減小監(jiān)控或報警照度。 (3)供電的直流電源應(yīng)是一個小功率可調(diào)電源。在照度L2監(jiān)控或報警時,其值應(yīng)與(1)式計算值相等。 2. 反向應(yīng)用輸出模擬電壓信號 Z-元件反向電流極小,呈現(xiàn)一個高電阻(1~6MW),這個電阻具有負(fù)的光照系數(shù),并在較高電壓(30~40V)下,不發(fā)生擊穿現(xiàn)象。圖5 為反向應(yīng)用電路及工作狀態(tài)解析圖。可以看出在無光照時,L1=0,工作點(diǎn)為Q1(VZ1,IZ1),輸出電壓為VO1,則: VO1=E-VZ1=E-IZ1RL (3) 當(dāng)光照為L2時,伏安特性上移,工作點(diǎn)由Q1移至Q2(VZ2,IZ2),輸出電壓為VO2,則: VO2=E-VZ2=E-IZ2RL (4) 3.M1→M3,M3→M1相互轉(zhuǎn)換,輸出脈沖頻率信號 該電路僅需三個元件,用一個小電容器與Z-元件并聯(lián),再串聯(lián)一負(fù)載電阻RL,即可構(gòu)成光頻轉(zhuǎn)換器,如圖6所示,達(dá)到了用光敏Z-元件實(shí)現(xiàn)光控脈沖頻率的目的。與溫敏Z-元件脈沖頻率電路相同,在無光照時,電源通過RL對電容器充電,當(dāng)VC五、 光敏Z-元件特性與應(yīng)用電路總結(jié) 光敏Z-元件的伏安特性與溫敏Z-元件的伏安特性是極為相近的,前者的光特性與后者的溫度特性也非常相似。 Z-元件的特性及應(yīng)用電路可以概括為:一個特殊的點(diǎn),即閾值點(diǎn)P(Vth,Ith),該點(diǎn)的電壓靈敏度為負(fù),電流靈敏度為正。有二個穩(wěn)定的工作區(qū),即高阻M1區(qū),和低阻M3區(qū)。在VZ六、 光敏Z-元件應(yīng)用示例 1.有溫度補(bǔ)償?shù)墓忾_關(guān)電路 該電路使用兩個光敏Z-元件,并做反向應(yīng)用,要求兩個Z-元件的反向電流相等,且反向溫度靈敏度溫漂DTR相近。其中V2避光、V1用于光照。無光照的伏安特性為V1(0lx,T1℃)和V2(0lx,T1℃)有溫度變化的伏安特性為V1(0lx,T2℃)和V2(0LX,T2℃),V2受光照的伏安特性為V2(Llx,T2℃)。VR為電位器R兩端電壓,VR1 (VR2)為T1℃(T2℃)時R兩端電壓,輸出電壓VO取自R的二分之一阻值點(diǎn)。在緩慢變溫的場合,VO始終等于電源電壓的二分之一。只有在V2受光照后,其反向電阻變小,IR增大,但是V1、R1、V2串聯(lián)電路中流過三個元件中的電流相等,電位器R中點(diǎn)電位上升,輸出電壓VO2升高。達(dá)到設(shè)定照度后,D1輸出由低電平變成高電平,V3導(dǎo)通,繼電器吸合觸點(diǎn)用于控制其它電路。 七、 磁敏Z-元件及其技術(shù)參數(shù) 1.磁敏Z-元件的結(jié)構(gòu)、電路符號及命名方法 磁敏Z-元件是一種經(jīng)過特殊摻雜而制得的改性PN結(jié)?!?”表示正向使用時接電源“+”端,M表示對磁場敏感。
2.磁敏Z-元件的伏安特性曲線 磁敏Z-元件的伏安特性,應(yīng)當(dāng)在無磁場的情況下進(jìn)行測量,伏安特性測量電路,正向伏安特性的測量電路與方法與溫敏Z-元件的相同。 伏安特性中OP段為高阻區(qū),記為M1,pf段為負(fù)阻區(qū),記為M2,fm為低阻區(qū),記為M3區(qū)。特性中的Vth叫做閾值電壓,表示在25℃時兩端電壓的最大值。Ith叫做閾值電流,是Z-元件電壓為Vth時的電流。Vf叫做導(dǎo)通電壓,是M3區(qū)電壓的最小值。If叫做導(dǎo)通電流,是對應(yīng)Vf的電流,是低阻區(qū)電流最小值。反向特性無磁敏。 3.磁敏Z-元件的分檔代號與技術(shù)參數(shù) 磁敏Z-元件的技術(shù)參數(shù)列于表3,磁敏Z-元件的分檔代號有兩個,一個是Vth,共分四檔;另一個是閾值磁場,共分兩檔。磁敏Z-元件的技術(shù)參數(shù)符合QJ/HN003-1998。 八、 磁敏Z-元件的磁敏特性 磁敏Z-元件的正向伏安特性,可進(jìn)行測量,與溫敏Z-元件正向伏安特性測量電路與方法相同。 磁敏Z-元件在磁場中,其伏安特性曲線形狀發(fā)生了變化,因而,技術(shù)參數(shù)也發(fā)生了變化。磁場由弱到強(qiáng)的變化過程,技術(shù)參數(shù)的變化范圍如表3所示。 1.閾值磁場:Bth(mT) 磁敏Z-元件置于磁場中,如圖10所示。電路中產(chǎn)生了自激振蕩,輸出信號VO的波形類似于溫敏Z-元件的下降沿觸發(fā)的脈沖頻率信號。使Z-元件剛剛起振的磁場,定義為閾值磁場,用Bth表示。 2.磁場范圍:B(mT) 磁場范圍,表示維持Z-元件正常振蕩的磁場,其值為(1~1.5)Bth。 3.頻率范圍:f(Hz) Z-元件在磁場中正常的信號頻率范圍。 4.頻率靈敏度:SF(Hz/mT) 5.電壓靈敏度ST(mV/mT) 磁敏Z-元件在磁場中,Vf向右平移增大,磁場越強(qiáng),Vf增加的越多,電壓靈敏度ST等于導(dǎo)通電壓Vf的增量DVf與磁場變化增量DB之比。 磁敏Z-元件在實(shí)驗(yàn)中,除上述參數(shù)用來表述在磁場中變化外,還有一種在磁場中的特性沒有相應(yīng)的參數(shù)可以表示。例如,在磁場中,Vf階躍式的增大,同時Vth也增大,幅度變化為: Vf:(1~3) Vf,Vth: Vth+(0~1V), 這一特性非常適合制作磁控開關(guān)、轉(zhuǎn)速表等。 九、 磁敏Z-元件的應(yīng)用電路 磁敏Z-元件是一個非線性元件,典型應(yīng)用電路為Z-元件與一個負(fù)載電阻RL串聯(lián)的電路。RL的一個作用是限制工作電流,另一個作用是可以從RL與Z-元件連接點(diǎn)處取出輸出信號。Z-元件允許并聯(lián)一個電容器,輸出脈沖頻率信號。 1. 工作在M3區(qū)輸出階躍信號 磁敏Z-元件工作在哪一個區(qū),與電源電壓E的大小有關(guān)。在溫敏Z-元件工作中,由M1區(qū)向M3區(qū)轉(zhuǎn)換的過程中,電源電壓E,負(fù)載電阻RL與Z-元件的參數(shù)Vth 、Ith,必須滿足的條件-狀態(tài)方程為: E= Vth +IthRL (7) 該方程仍然適用于磁敏Z-元件。 為了保證Z-元件工作在M3區(qū),P(Vth,Ith)點(diǎn)必須設(shè)定在負(fù)載線(E,E/RL)的左側(cè),并應(yīng)考慮溫度的影響,在應(yīng)用的溫度范圍內(nèi),能可靠地工作在M3區(qū)。 從解析圖中已知道,無磁場時工作點(diǎn)為Q1(Vf,IZ1),輸出為VO=VOL=Vf。加入300mT磁場,P1(Vth1,Ith1)移至P2(Vth2,Ith2),P2點(diǎn)在直線(E,E/RL)的左側(cè),Q2(VZ2,IZ2)點(diǎn)在OP2上,這時的輸出為:VO=VOH=E- IZ2RL 當(dāng)磁場為B=0時,VO又恢復(fù)為低電平,即VO=VOL=Vf。 2. 并聯(lián)電容器M1→M3,M3→M1互相轉(zhuǎn)換輸出脈沖頻率信號 Z-元件在磁場中產(chǎn)生的自激振蕩,其脈沖頻率信號往往不夠穩(wěn)定,因而采用Z-元件并聯(lián)電容器的方法,改善振蕩的穩(wěn)定性和電源電壓的適應(yīng)性。這個脈沖頻率信號是下降沿觸發(fā)的,其頻率受磁場的調(diào)制。 磁敏Z-元件的應(yīng)用可以把Z-元件與RL互換位置,其輸出信號是關(guān)于電源電壓E的互補(bǔ)信號,參看表4-3,其信號變化幅度的絕對值|DVO|相等,前者輸出信號是由低電平上升為高電平,后者輸出信號是由高電平下降為低電平。 十、 磁敏Z-元件特性與應(yīng)用電路總結(jié) 磁敏Z-元件正向特性對磁場敏感,反向無磁敏特性。它的閾值點(diǎn)P(Vth,Ith)中,Vth為正磁系數(shù),Ith有較小的負(fù)磁系數(shù)。磁敏Z-元件也有兩個穩(wěn)定的工作狀態(tài),即VZ≥Vth時工作在低阻M3區(qū),當(dāng)VZ十一、磁敏Z-元件應(yīng)用示例 1. 流量脈沖傳感器 該流量傳感器,這是一個RL與磁敏Z-元件串聯(lián)的電路。Z-元件工作在M3區(qū),電源電壓E應(yīng)大于(Vth +IthRL),使之在允許的工作溫度范圍內(nèi),能可靠地工作在M3區(qū)。 由N、S磁極構(gòu)成的平行磁場固定在轉(zhuǎn)盤上,當(dāng)流體沖擊轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)動時,只在磁極罩在磁敏Z-元件上的一瞬間,輸出端輸出一個高電平VOH,磁極離去時,輸出為低電平VOL。轉(zhuǎn)盤上的磁 極對數(shù)根據(jù)實(shí)際需要選擇,兩個高電平的間隔時間tx是流量的函數(shù),經(jīng)過標(biāo)定以后,可編成查表程序用低功耗單片機(jī)進(jìn)行顯示,并需要輸出相應(yīng)信號。 轉(zhuǎn)速表的接觸式錐軸與磁極固定在一起,當(dāng)磁極被錐軸代動一起旋轉(zhuǎn)時,磁敏Z-元件在磁極作用下,輸出與圖14相同的信號,進(jìn)行計數(shù)、顯示。當(dāng)N=1、S=1時,磁極對數(shù)為P=1,計數(shù)器的閘門信號為t,直接計數(shù),顯示的即是轉(zhuǎn)速n[r/s] t=1/p(s) 2. 報警傳感器 該報警傳感器采用圖15電路, 待機(jī)(安全狀態(tài))電平為高電平VOH=E-IZ2RL。 被保護(hù)的物品(貴重文物、家電、門窗等)與磁極巧妙地固定在一起,使之罩在磁敏Z-元件上,輸出信號為VOH表示正常待機(jī),即安全狀態(tài)。當(dāng)被保護(hù)的物品被非法移位,致使磁極與Z-元件分開,輸出信號由VOH變?yōu)閂OL時,即發(fā)生了警情。用VOL信號去觸發(fā)報警裝置,發(fā)出聲光報警信號或自動觸發(fā)并送出特種遠(yuǎn)傳報警尋求幫助,這些在技術(shù)上,都是非常容易實(shí)現(xiàn)的。磁敏Z-元件能以簡單的電路實(shí)現(xiàn)諸多應(yīng)用,應(yīng)用示例很多,這里不再贅述。 十一、磁敏Z-元件研究中存在的問題 我們對磁敏Z-元件工作機(jī)理和特性的探討做了大量工作,仍然有不少問題需要進(jìn)一步探討: 1.磁場的磁力線與Z-元件管芯平面的法線垂直時靈敏度最高,但是,磁場改變了方向后和改變方向前兩者靈敏度不等的現(xiàn)象,尚未找到答案。 2.磁場由弱到強(qiáng)的變化,Vf的增加有跳躍式的變化,這種Z-元件在用于連續(xù)測量時就受到了限制。 3.磁敏Z-元件Vth一般較大(>10V) ,Vth較小的(<10V)往往靈敏度又較低。研制小Vth高靈敏度低溫漂的磁敏Z-元件是一項(xiàng)高投資、高風(fēng)險、高技術(shù)的新的攻關(guān)課題。 Z-元件是一個全新的元件。無論是溫敏、光敏、磁敏還是力敏,進(jìn)一步提高其靈敏度改善其一致性和穩(wěn)定性,對于我們來說都是一項(xiàng)新的攻關(guān)課題,歡迎業(yè)內(nèi)同仁和專家共同努力,開創(chuàng)Z-元件研究的新紀(jì)元。

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