2008慕尼黑電子展 嘉興斯達半導體強勢出擊

時間：2008-10-24

來源：嘉興斯達半導體有限公司

導語：一年一度的慕尼黑上海電子展和慕尼黑上海激光、光電展將于2008年3月18日在上海新國際博覽中心拉開帷幕。

一年一度的慕尼黑上海電子展（electronica&ProductronicaChina）和慕尼黑上海激光、光電展（LASER.WorldofPhotonicsChina）將于2008年3月18日在上海新國際博覽中心拉開帷幕，持續(xù)到20日結束。屆時來自國內外的電子行業(yè)企業(yè)將盛裝亮相，展示行業(yè)新氣象，而界內專家等也將出席同期舉行的研討會和高峰論壇，探索行業(yè)發(fā)展新路。 2008年對于中國來說是非同尋常的一年，本屆慕尼黑上海電子展也順應形勢，將以更強大的聲勢、更特別的展出、更專業(yè)的聲音登場。 [align=center] 嘉興斯達半導體強勢出擊[/align]
在展臺上，斯達半導體公司展出了公司兩大系列產品，IGBT模塊和MOSFET模塊。據工作人員介紹，斯達半導體的IGBT模塊按照耐壓等級分為600V,1200V和1700V三個系列，在每個系列里面又按照模塊內部的電路結構分成若干部分，每一種電路結構下面有若干電流等級的產品。斯達半導體的MOSFET模塊按照電路結構分為單開關、斬波器、半橋、全橋和三相橋等系列，每一種電路結構下面有若干電壓電流等級的產品。
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