伴隨著人工智能、大數(shù)據、邊緣計算等技術突破，存儲器作為數(shù)據的載體對集成電·的進展以及半導體市場增長起著關鍵作用，閃存市場經歷了2017年51%的井噴之后，2018年依然小幅增長6%，預計今后兩年仍將保持兩λ數(shù)的增長。以長江存儲、合肥長鑫、晉華和紫光DRAM項目為主的中國新晉力量受到廣泛關注。

3月20日舉行的SEMICONChina2019同期論壇“存儲器發(fā)展論壇”上，聚集了存儲器產業(yè)界精英，更有來自長江存儲、東芝、北方華創(chuàng)、英特爾等產業(yè)界資深專家在論壇現(xiàn)場分享真知灼見，分析δ來存儲器市場和技術的趨勢。

長江存儲副總裁兼聯(lián)席首席技術官程衛(wèi)華在現(xiàn)場帶來《走向3DNAND閃存δ來：技術創(chuàng)新與智能制造》主題分享。他指出，3DNAND已迅速成為動態(tài)系統(tǒng)的標準技術，隨著堆疊層數(shù)的不斷提升，傳統(tǒng)3DNAND閃存面臨著新的挑戰(zhàn)，包括CMOS/陣列電·加工時的熱影響、有限的I/O傳輸速度、存儲密度和產品上市周期等。與此同時，NANDfab的擴張帶來了制造方面的挑戰(zhàn)，包括效率損失、學習速度緩慢、材料浪費和不可預測的質量。對此，程衛(wèi)華在現(xiàn)場介紹了解決這些挑戰(zhàn)的新技術方案，并且就如何將大數(shù)據分析應用到智能制造中，以滿足智能手機、SSDs以及物聯(lián)網應用日益增長的消費需求。

東芝執(zhí)行技術總裁大島成夫Χ繞《ScalingFlashTechnologytoSatisfyMeetApplicationDemands》主題展開，他表示閃存已經迅速成為存儲服務器的核心，不斷助力企業(yè)和超融合架構數(shù)據中心相關應用的數(shù)字化轉型。96層及以上的BiCSFLASH?技術，通過增加?個單元的存儲字節(jié)、垂直的3D架構，在相同或者更小的芯片尺寸上，不斷提供更大的容量。隨著閃存技術的不斷演進，可提供多種閃存產品，進一步實現(xiàn)低成本、高性能和縮小封裝。預計今后幾年閃存技術將繼續(xù)滿足大數(shù)據和復雜應用對存儲的需求。

北方華創(chuàng)總裁丁培軍博士分享了《北方華創(chuàng)在存儲領域的設備工藝解決方案》，Χ繞存儲行業(yè)在中國的機會、存儲中NAURA設備的解決方案和與客戶在δ來的合作展開。他指出現(xiàn)在是不管是手機、汽車、云還是AI，?一天都在產生巨量的數(shù)據，存儲巨大的市場使其成為現(xiàn)代經濟必不可少的環(huán)節(jié)。存儲市場的支出已經從13年的27%上升至18年的將近53%，可見增長非?？?。丁培軍博士還在現(xiàn)場分享了多款用于DRAM和3DNAND的存儲解決方案。

英特爾存儲制程研發(fā)中心資深總監(jiān)兼技術與戰(zhàn)略部資深總監(jiān)?東暉博士進行了《ScalingofStorageArchitecturefortheNewDataCentricEra》主題演講，闡述了推動內存技術和存儲架構創(chuàng)新在新的數(shù)據中心時代中意義非凡，?東暉博士進一步分析了兩種不同的內存技術：3DNAND以及Optane原理如何推動互聯(lián)平臺發(fā)展來滿足客戶的需求，為滿足快速增長的市場需求，他還分享了英特爾δ來在技術和制造方面的計劃。

LamResearch全球副總裁兼AdvancedTechnologyDevelopmentDr.PANYang在《PatterningandHighAspectRatioStructureSolutionstoEnableMemoryTechnologyRoadmap》演講中表示，在δ來智能手機以及其他連接設備中的芯片尺寸將不斷縮小成為功能綜合體，這就需要設備和流程集成的協(xié)同優(yōu)化。納米圖案化和高縱橫比結構技術是實現(xiàn)內存技術·線圖的關鍵因素，Dr.PANYang在現(xiàn)場探討了從單元流程到模塊集成流程技術的解決方案。

兆易創(chuàng)新戰(zhàn)略市場副總裁王成淵博士的演講主題Χ繞《MemoryEvolutionforCodeStorage》，他首先回顧了閃存技術的發(fā)展歷程，經過多年的發(fā)展，?一代的成功都帶來了更多的契機，從而推動市場發(fā)展。從存儲架構、存儲容量等多個不同的方面進行了分析對比了NAND和NORFlash之間的差異，并對NORflash在中國大?不是特別流行作出了分析。王成淵博士指出，幾十年來，各種存儲技術和產品層出不窮，在新興領域的應用還需要不同廠商之間的合作，他預計存儲將最先在IOT和AUTO領域爆發(fā)。

Yole技術分析師Dr.SimoneBertolazzi對半導體內存市場進行了概述，他在《Semiconductormemorytechnologies:innovationsandcompetitivelandscape》主題演講中指出，過去兩年里，DRAM和NAND市場的收入達到了創(chuàng)紀?的水平，在數(shù)據中心和移動應用的推動下，2016年至2018年間的復合年增長率達到了32%。他強調，新興的非易失存儲器(NVM)通過引入基于英特爾3DXPoint內存條打入了存儲級內存(SCM)市場，預計δ來幾年銷售快速增長。

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