臺積電正式公布2nm:功耗降低30%

時間:2022-06-20

來源:21ic

導(dǎo)語:在微觀結(jié)構(gòu)上,N2采用納米片電晶體(Nanosheet),取代FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管),外界普遍認為,納米片電晶體就是臺積電版的GAAFET(環(huán)繞柵極晶體管)。

       6月17日早間消息,臺積電在今日舉辦的2022技術(shù)論壇上,首度推出下一代先進制程N2,也就是2nm

  技術(shù)指標(biāo)方面,臺積電披露,N2相較于N3,在相同功耗下,速度快10~15%;相同速度下,功耗降低25~30%,開啟高效能新紀(jì)元。

  就縱向?qū)Ρ葋砜矗?nm之于3nm的提升,似乎不如3nm之于5nm,包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心參數(shù)。

  在微觀結(jié)構(gòu)上,N2采用納米片電晶體(Nanosheet),取代FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管),外界普遍認為,納米片電晶體就是臺積電版的GAAFET(環(huán)繞柵極晶體管)。

  臺積電還表示,N2不僅有面向移動處理器的標(biāo)準(zhǔn)工藝,還會有針對高性能運算和小芯片(Chiplet)的整合方案。

  時間節(jié)奏方面,N2將于2025年量產(chǎn)。

  另外,根據(jù)臺積電最新技術(shù)路線圖,第一代3nm(N3)定于下半年量產(chǎn),3nm也會比較長壽,后續(xù)還有N3E、N3P和N3X。

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