簡介：可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直...

簡介：可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直...

簡介：可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直...

簡介：可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直...

簡介：可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直...

簡介：體積：0805 1206 0402 0201 0603 1210 1808 1812 1825 2220 2225… 誤差：±25%、±40% 阻值范圍：5～2700(Ω)

簡介：RC-800F 型高壓介質(zhì)損耗測試儀用于現(xiàn)場抗干擾介損測量，或試驗室精密介損測量。儀器為一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置介損電橋、變頻電源、試驗變壓器和標(biāo)準(zhǔn)電容器等。采用變頻抗干擾和傅立葉變換數(shù)字濾波技術(shù)，全自動智能化測...

簡介：陶瓷基板結(jié)構(gòu)致密，并且具有一定的脆性，普通機械方式盡管可以加工，但是在加工過程中存在應(yīng)力，尤其針對一些厚度很薄的陶瓷片，極易產(chǎn)生碎裂。這使得陶瓷基板的加工成為了廣泛應(yīng)用的難點。

簡介：場效應(yīng)管?(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。

簡介：本控制板自帶專用高速控制芯片，能對外部輸入的直流0-5V模擬電壓進(jìn)行精確轉(zhuǎn)換，然后根據(jù)電壓值的大小控制精準(zhǔn)的脈沖頻率輸出（根據(jù)輸出頻率范圍大小精度最高可精確到1赫茲）。輸入0-5v對應(yīng)的輸出頻率范圍可通過RS...

簡介：型號：RDF01 輸入電壓：3.3、5、12、15、24 輸出電壓：3.3、5、9、12、15、24、±3.3、±5、±9、±12、±15、±24 輸出額定功率：1W 工作溫度范圍:-40℃~+105℃ 效率：85％ 隔離電壓：3000VDC...

簡介：型號：RDA01 輸入電壓：3.3、5、12、15、24 輸出電壓：3.3、5、9、12、15、24、±3.3、±5、±9、±12、±15、±24 輸出額定功率：1W 工作溫度范圍:-40℃~+105℃ 效率：85% 隔離電壓：1500 VDC...

簡介：型號：RDE01 輸入電壓：3.3、5、12、15、24 輸出電壓：3.3、5、9、12、15、24 輸出額定功率：1W 工作溫度范圍：-40℃~+105℃ 效率：85％ 隔離電壓：1500 VDC 保護(hù)方式：可持續(xù)短路保護(hù) ...

簡介： 斯曼峰YX932D型電動吸引器是一種高負(fù)壓、高流量、手推式的醫(yī)用吸引裝置。適用于各醫(yī)療機構(gòu)吸除患者氣道內(nèi)泌物，手術(shù)時吸除患者體內(nèi)滲出液和沖洗液。

簡介：型號：RDT01 輸入電壓（VDC）：3.3、5、12、15、24 輸出電壓（VDC）：3.3、5、9、12、15、24 輸出電流（mA）：最?。?0.3、20、11、8.3、7、4 最大：303、200、111、83、67、4 2 工作溫度范圍...

簡介：日立能源ABB的IGBT電壓范圍為1700至6500伏。高功率HiPakIGBT模塊具有低損耗、軟開關(guān)性能和破紀(jì)錄的安全作業(yè)區(qū)(SOA)。新推出的62Pak和LoPak快速開關(guān)中功率IGBT模塊具有低的開關(guān)損耗、全175°C運行、正方形SOA以及...

簡介：日立能源ABB的IGBT電壓范圍為1700至6500伏。高功率HiPakIGBT模塊具有低損耗、軟開關(guān)性能和破紀(jì)錄的安全作業(yè)區(qū)(SOA)。新推出的62Pak和LoPak快速開關(guān)中功率IGBT模塊具有低的開關(guān)損耗、全175°C運行、正方形SOA以及...

簡介：日立能源ABB的IGBT電壓范圍為1700至6500伏。高功率HiPakIGBT模塊具有低損耗、軟開關(guān)性能和破紀(jì)錄的安全作業(yè)區(qū)(SOA)。新推出的62Pak和LoPak快速開關(guān)中功率IGBT模塊具有低的開關(guān)損耗、全175°C運行、正方形SOA以及...

簡介：日立能源ABB的IGBT功率模塊電壓范圍為1700至6500伏。高功率HiPak IGBT模塊具有低損耗、軟開關(guān)性能和破紀(jì)錄的安全作業(yè)區(qū) (SOA)。新推出的62Pak 和LoPak快速開關(guān)中功率IGBT模塊具有低的開關(guān)損耗、全 175°C 運行、...

簡介：日立能源IGBT模塊電壓范圍為1700至6500 伏。高功率 HiPak IGBT 模塊具有低損耗、軟開關(guān)性能和破紀(jì)錄的安全作業(yè)區(qū) (SOA)。新推出的 62Pak 和 LoPak 快速開關(guān)中功率 IGBT 模塊具有低的開關(guān)損耗、全 175°C 運行、正...