國產(chǎn)半導體廠拓荊科技上市,從事高端半導體設備研發(fā)

時間:2022-04-24

來源:21ic

導語:根據(jù)此前的招股計劃,拓荊科技擬募資月10億元,主要用于先進半導體設備的技術研發(fā)與改進項目、ALD設備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目、高端半導體設備擴產(chǎn)項目及補充流動資金。

  4月20日,國產(chǎn)半導體設備廠商拓荊科技股份有限公司(以下簡稱“拓荊科技”)正式登陸上海證券交易所科創(chuàng)板。

  發(fā)行價格為71.88元/股,發(fā)行數(shù)量為3,161.9800萬股,成功募資約22.73億元(扣除發(fā)行費用后募集資金凈額約為21.28億元),相比之前的計劃超募了12億元。

  根據(jù)此前的招股計劃,拓荊科技擬募資月10億元,主要用于先進半導體設備的技術研發(fā)與改進項目、ALD設備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目、高端半導體設備擴產(chǎn)項目及補充流動資金。

  拓荊科技今日開盤后,股價一度大漲46%,漲至104.96元/股,截至收盤股價回落至92.30元/股,漲幅28.41%,市值116.74億元。

  助力半導體薄膜沉積設備國產(chǎn)化

  據(jù)招股書顯示,拓荊科技成立于2010年4月,主要從事高端半導體專用設備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術服務。公司聚焦的半導體薄膜沉積設備與光刻機、刻蝕機共同構成晶圓制造三大核心設備,也是目前國內唯一一家產(chǎn)業(yè)化應用的集成電路PECVD、SACVD設備廠商。

  拓荊科技主要產(chǎn)品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、原子層沉積(ALD)設備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備三個產(chǎn)品系列,并已廣泛應用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線,在不同種類芯片制造產(chǎn)線的多道工藝中得到商業(yè)化應用,同時公司已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試,公司在研產(chǎn)品已發(fā)往國際領先晶圓廠參與其先進制程工藝研發(fā)。

  憑借長期的技術研發(fā)和工藝積累,拓荊科技成為較早打破國際巨頭技術壟斷局面的企業(yè)。公司100%自主知識產(chǎn)權研制的PECVD設備,是國內唯一能夠應用于大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線的12英寸全自動PEVCD設備,已用于28nm的集成電路的批量生產(chǎn),同時具有14-10nm的技術的延展性,產(chǎn)品性能指標表現(xiàn)達到了世界先進水平。

  此外,拓荊科技還建成了我國首個半導體薄膜設備生產(chǎn)基地,總建筑面積40,000平方米,包括研發(fā)及生產(chǎn)用十級,百級和千級無塵潔凈間。按照發(fā)展規(guī)劃,公司將開展配適10nm以下制程的PECVD產(chǎn)品研發(fā);開發(fā)Thermal ALD 和大腔室PE ALD;同時升級SACVD設備,研發(fā)12英寸滿足28nm以下制程工藝需要的SACVD設備。

  不過,需要指出的是,與中國大陸半導體專用設備企業(yè)相比,國際巨頭企業(yè)擁有客戶端先發(fā)優(yōu)勢,產(chǎn)品線豐富、技術儲備深厚、研發(fā)團隊成熟、資金實力較強等優(yōu)勢,國際巨頭還能為同時購買多種產(chǎn)品的客戶提供捆綁折扣。

  從全球市場份額來看,薄膜沉積設備行業(yè)呈現(xiàn)出高度壟斷的競爭局面,行業(yè) 基本由應用材料(AMAT)、ASMI、泛林半導體(Lam)、東京電子(TEL)等國際巨頭壟斷。2019 年,ALD 設備龍頭東京電子(TEL)和先晶半導體(ASMI) 分別占據(jù)了 31%和 29%的市場份額,剩下 40%的份額由其他廠商占據(jù);而應用 材料(AMAT)則基本壟斷了 PVD 市場,占 85%的比重,處于絕對龍頭地位;在 CVD 市場中,應用材料(AMAT)全球占比約為 30%,連同泛林半導體(Lam) 的 21%和 TEL 的 19%,三大廠商占據(jù)了全球 70%的市場份額。




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