4月20日，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠(chǎng)商拓荊科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“拓荊科技”)正式登陸上海證券交易所科創(chuàng)板。

　　發(fā)行價(jià)格為71.88元/股，發(fā)行數(shù)量為3,161.9800萬(wàn)股，成功募資約22.73億元(扣除發(fā)行費(fèi)用后募集資金凈額約為21.28億元)，相比之前的計(jì)劃超募了12億元。

　　根據(jù)此前的招股計(jì)劃，拓荊科技擬募資月10億元，主要用于先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項(xiàng)目、ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

　　拓荊科技今日開(kāi)盤(pán)后，股價(jià)一度大漲46%，漲至104.96元/股，截至收盤(pán)股價(jià)回落至92.30元/股，漲幅28.41%，市值116.74億元。

　　助力半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備國(guó)產(chǎn)化

　　據(jù)招股書(shū)顯示，拓荊科技成立于2010年4月，主要從事高端半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和技術(shù)服務(wù)。公司聚焦的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)共同構(gòu)成晶圓制造三大核心設(shè)備，也是目前國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路PECVD、SACVD設(shè)備廠(chǎng)商。

　　拓荊科技主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)設(shè)備三個(gè)產(chǎn)品系列，并已廣泛應(yīng)用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、廈門(mén)聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線(xiàn)，在不同種類(lèi)芯片制造產(chǎn)線(xiàn)的多道工藝中得到商業(yè)化應(yīng)用，同時(shí)公司已展開(kāi)10nm及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試，公司在研產(chǎn)品已發(fā)往國(guó)際領(lǐng)先晶圓廠(chǎng)參與其先進(jìn)制程工藝研發(fā)。

　　憑借長(zhǎng)期的技術(shù)研發(fā)和工藝積累，拓荊科技成為較早打破國(guó)際巨頭技術(shù)壟斷局面的企業(yè)。公司100%自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)研制的PECVD設(shè)備，是國(guó)內(nèi)唯一能夠應(yīng)用于大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線(xiàn)的12英寸全自動(dòng)PEVCD設(shè)備，已用于28nm的集成電路的批量生產(chǎn)，同時(shí)具有14-10nm的技術(shù)的延展性，產(chǎn)品性能指標(biāo)表現(xiàn)達(dá)到了世界先進(jìn)水平。

　　此外，拓荊科技還建成了我國(guó)首個(gè)半導(dǎo)體薄膜設(shè)備生產(chǎn)基地，總建筑面積40,000平方米，包括研發(fā)及生產(chǎn)用十級(jí)，百級(jí)和千級(jí)無(wú)塵潔凈間。按照發(fā)展規(guī)劃，公司將開(kāi)展配適10nm以下制程的PECVD產(chǎn)品研發(fā);開(kāi)發(fā)Thermal ALD 和大腔室PE ALD;同時(shí)升級(jí)SACVD設(shè)備，研發(fā)12英寸滿(mǎn)足28nm以下制程工藝需要的SACVD設(shè)備。

　　不過(guò)，需要指出的是，與中國(guó)大陸半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備企業(yè)相比，國(guó)際巨頭企業(yè)擁有客戶(hù)端先發(fā)優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)品線(xiàn)豐富、技術(shù)儲(chǔ)備深厚、研發(fā)團(tuán)隊(duì)成熟、資金實(shí)力較強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，國(guó)際巨頭還能為同時(shí)購(gòu)買(mǎi)多種產(chǎn)品的客戶(hù)提供捆綁折扣。

　　從全球市場(chǎng)份額來(lái)看，薄膜沉積設(shè)備行業(yè)呈現(xiàn)出高度壟斷的競(jìng)爭(zhēng)局面，行業(yè) 基本由應(yīng)用材料(AMAT)、ASMI、泛林半導(dǎo)體(Lam)、東京電子(TEL)等國(guó)際巨頭壟斷。2019 年，ALD 設(shè)備龍頭東京電子(TEL)和先晶半導(dǎo)體(ASMI) 分別占據(jù)了 31%和 29%的市場(chǎng)份額，剩下 40%的份額由其他廠(chǎng)商占據(jù);而應(yīng)用 材料(AMAT)則基本壟斷了 PVD 市場(chǎng)，占 85%的比重，處于絕對(duì)龍頭地位;在 CVD 市場(chǎng)中，應(yīng)用材料(AMAT)全球占比約為 30%，連同泛林半導(dǎo)體(Lam) 的 21%和 TEL 的 19%，三大廠(chǎng)商占據(jù)了全球 70%的市場(chǎng)份額。