在新能源、5G基站的需求持續(xù)推動下，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)迎來了投資熱潮。而近期，不少國際國內(nèi)企業(yè)都披露了最新擴產(chǎn)計劃及項目進展情況。

　　1國際企業(yè)忙擴產(chǎn)

　　近期，一眾國際知名廠商擴產(chǎn)計劃相繼曝光，建廠、擴產(chǎn)消息不斷。

　　據(jù)外媒TheElec報道，SK Siltron計劃與RFHIC和Yes Power Technix成立一家合資企業(yè)，開發(fā)碳化硅和氮化鎵半導體，該計劃正在等待母公司SK公司批準。資料顯示，SK Siltron是韓國唯一一家半導體硅晶圓制造商，目前，其在韓國、美國生產(chǎn)SiC晶圓，也在開發(fā)GaN晶圓。而RFHIC主營GaN射頻芯片，Yes Power Technix則主營SiC電源管理IC。

　　日媒近日報道，日立功率半導體公司計劃投資超1000億日元，將用于電動汽車和電器等產(chǎn)品的功率半導體產(chǎn)能提高至3倍。報道指出，到2027年，日立功率半導體公司將提高臨海和山梨工廠以及一家承包工廠的產(chǎn)量。

　　除了SK Siltron和日立功率半導體有擴產(chǎn)計劃外，Wolfspeed和安森美也在此前宣布了相關(guān)投資規(guī)劃。

　　其中Wolfspeed計劃建造世界上最大的碳化硅材料工廠;安森美也表示在今年將碳化硅襯底產(chǎn)能擴充4倍，該廠將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加5倍。

　　此外，碳化硅(SiC)外延片大廠昭和電工宣布，8英寸碳化硅外延片樣品已開始出貨，該外延片使用昭和電工自產(chǎn)碳化硅單晶襯底制備。

　　2國內(nèi)產(chǎn)能即將陸續(xù)釋放

　　國際大廠忙于擴產(chǎn)之際，不少國內(nèi)廠商也緊隨其后，披露了項目研發(fā)的最新進展。

　　天岳先進最新披露的調(diào)研紀要顯示，公司位于上海臨港的上海天岳碳化硅半導體材料項目已經(jīng)成功封頂。天岳先進表示，公司將繼續(xù)加快臨港項目產(chǎn)能建設(shè)，預(yù)計導電型襯底大批量供貨在上海工廠投產(chǎn)后將陸續(xù)釋放。另外，目前公司已通過車規(guī)級IATF16949體系的認證，并加快推動相應(yīng)產(chǎn)品的客戶認證工作。

　　芯導科技董事長、總經(jīng)理歐新華近日在業(yè)績會上表示，公司第三代半導體650V GaN HEMT產(chǎn)品已在多家客戶的項目中進行測試和驗證，預(yù)計今年可實現(xiàn)量產(chǎn);配合公司第三代半導體650V GaN HEMT器件的高整合度驅(qū)動器芯片，也已處于客戶端測試階段，預(yù)計將于今年批量投產(chǎn)。

　　晶盛機電在互動平臺表示，公司已成功生長出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體，并建設(shè)了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線，實驗線產(chǎn)品已通過下游部分客戶驗證。

　　宏光半導體公司與協(xié)鑫集團于近日訂立戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，旨在加強在第三代半導體氮化鎵器件、快充電池等領(lǐng)域的生產(chǎn)研發(fā)能力。根據(jù)協(xié)議，雙方擬于氮化鎵功率芯片在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用開展密切合作，其中包括共同開發(fā)基于硅基功率芯片及第三代半導體之應(yīng)用產(chǎn)品等。