10月13日，日本佳能公司宣布推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導體制造設(shè)備，該設(shè)備執(zhí)行電路圖案轉(zhuǎn)移，這是最重要的半導體制造工藝。
隨著掩模技術(shù)的進一步改進，日本佳能公司預計，NIL(Nano Imprint Lithography，NIL)納米壓印技術(shù)將有可能支持電路圖案化的最小線寬為10nm，相當于2nm節(jié)點。據(jù)悉，佳能于2014年收購了MII公司，將其更名為Canon Nanotechnologies，從此正式進入NIL市場。
納米壓印技術(shù)，即Nanoimprint Lithography(NIL)，是一種新型的微納加工技術(shù)，最先由華裔科學家周郁(Stephen Chou)教授于1995年首次提出納米壓印概念。直到2003年，NIL作為一項微納加工技術(shù)，被納入國際半導體技術(shù)藍圖(ITRS)。該技術(shù)將設(shè)計并制作在模板上的微小圖形，通過壓印等技術(shù)轉(zhuǎn)移到涂有高分子材料的硅基板上。
佳能介紹稱，傳統(tǒng)的光刻設(shè)備通過將電路圖案投射到涂有抗蝕劑的晶圓上，新產(chǎn)品則通過在晶圓上的抗蝕劑上壓印有電路圖案的掩模來實現(xiàn)這一點。由于其電路圖案轉(zhuǎn)移過程不經(jīng)過光學機構(gòu)，因此可以在晶圓上忠實地再現(xiàn)掩模上的精細電路圖案。
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